IGBT的栅极电压可通过不同的驱动电路来产生。这些驱动电路设计的优劣对IGBT构成的系统长期运行可靠性产生直接影响。为了确保IGBT的完全饱和以及较小化通态损耗，同时还要限制短路电流和功率应力，正向栅极电压必须控制在适当范围内。 此外，IGBT的正栅压VGE与其导通电阻和损耗密切相关。VGE越大，导通电阻越低，从而损耗越小。然而，过大的VGE可能导致I...